在7月8-11日西班牙舉行的IEEE Nano 2024大會(huì)上，國際電氣與電子工程師協(xié)會(huì)納米技術(shù)理事會(huì)（IEEE NTC）主席Jin-Woo Kim教授向南京大學(xué)集成電路學(xué)院王欣然教授頒發(fā)了首屆IEEE NTC Technical Achievement Award，以表彰他在“二維半導(dǎo)體生長和電子器件應(yīng)用方面的貢獻(xiàn)（for contributions to the growth of 2D semiconductors and their electronic device applications）”。隨后，王欣然教授做了題為“2D semiconductors for future computing”的大會(huì)主旨報(bào)告。

　　IEEE NTC Technical Achievement Award設(shè)立于2022年，旨在獎(jiǎng)勵(lì)全球納米技術(shù)領(lǐng)域作出突出和創(chuàng)新貢獻(xiàn)的個(gè)人，遴選標(biāo)準(zhǔn)包括其成果的質(zhì)量、對(duì)相關(guān)領(lǐng)域和社區(qū)的影響、以及在納米技術(shù)理事會(huì)中的服務(wù)等。

　　王欣然教授團(tuán)隊(duì)在二維半導(dǎo)體領(lǐng)域深耕10余年，在大面積單晶制備-高性能晶體管器件-集成光電和類腦芯片等方面取得了系統(tǒng)性的創(chuàng)新成果。近10年以通訊作者在Nature、Nature Nano.、Nature Electron.、IEEE IEDM等期刊和旗艦會(huì)議發(fā)表多篇論文，總引用超過31000次，授權(quán)中國和美國發(fā)明專利10項(xiàng)。因在二維半導(dǎo)體材料和器件方面的貢獻(xiàn)獲得科學(xué)探索獎(jiǎng)、黃昆固體物理與半導(dǎo)體物理獎(jiǎng)、中國青年科技獎(jiǎng)，并多次入選全球高被引學(xué)者。

　　王欣然教授簡介

　　王欣然，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院教授、副院長、博導(dǎo)，集成電路學(xué)院執(zhí)行院長、兼職博導(dǎo)。國家杰出青年基金獲得者。2004年本科畢業(yè)于南京大學(xué)物理系，2010年獲得美國斯坦福大學(xué)物理學(xué)博士學(xué)位，2010-2011年期間先后在斯坦福大學(xué)和伊利諾伊大學(xué)香檳分校做博士后研究員，2011年回到南京大學(xué)工作。

　　主要研究下一代信息材料、器件與集成電路，尤其是在二維半導(dǎo)體領(lǐng)域取得突出成果，發(fā)表論文170余篇，總引用超過26000次。近10年以通訊作者在Nature（2篇）、Nature Nano.（4篇，包括1篇特邀評(píng)論）、Nature Electron.、Nature Rev. Phys.、Nature Commun.（6篇）、IEEE IEDM（5篇，包括1篇邀請(qǐng)論文）等期刊和會(huì)議發(fā)表論文51篇，授權(quán)中美發(fā)明專利9項(xiàng)。3次入選全球高被引學(xué)者，曾獲中國青年五四獎(jiǎng)?wù)?、中國青年科技?jiǎng)、江蘇省科學(xué)技術(shù)一等獎(jiǎng)、國家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)、中國物理學(xué)會(huì)黃昆物理獎(jiǎng)、科學(xué)探索獎(jiǎng)等榮譽(yù)。

　　南京大學(xué)集成電路學(xué)院

　　南京大學(xué)集成電路學(xué)院是南京大學(xué)在蘇州校區(qū)首批建設(shè)的學(xué)院之一，以新獲批的一級(jí)交叉學(xué)科“集成電路科學(xué)與工程”為依托，以南京大學(xué)傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)學(xué)科如物理、化學(xué)、材料、電子、信息科學(xué)等學(xué)科群為基礎(chǔ)，重點(diǎn)建設(shè)六個(gè)研究方向，包括：（1）微納電子科學(xué)、（2）器件與制造工藝、（3）集成光電子、（4）材料與裝備、（5）集成電路設(shè)計(jì)、（6）封裝與系統(tǒng)集成。學(xué)院圍繞集成電路國家重大需求，致力于解決集成電路器件、設(shè)計(jì)及制造等相關(guān)核心環(huán)節(jié)的重大基礎(chǔ)科學(xué)及工程問題，培養(yǎng)集成電路基礎(chǔ)性人才、工程型人才、創(chuàng)新型人才及領(lǐng)軍型人才，支撐和推動(dòng)集成電路科學(xué)技術(shù)與產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展。

　　學(xué)院成立以來，引進(jìn)了一批集成電路方向的高水平人才隊(duì)伍，現(xiàn)已形成了由包括教育部長江特聘教授、國家杰出青年科學(xué)基金獲得者等學(xué)術(shù)帶頭人和高素質(zhì)青年學(xué)術(shù)骨干教師組成的團(tuán)隊(duì)，涵蓋了材料、器件、設(shè)計(jì)、應(yīng)用多個(gè)方向，形成了一系列高水平原創(chuàng)性成果。

　　二維半導(dǎo)體材料、器件與集成技術(shù)

　　學(xué)院執(zhí)行院長王欣然教授作為該方向的領(lǐng)軍學(xué)者，已在該方向深耕十余年，實(shí)現(xiàn)了從“材料生長表征-器件制備測量-集成電路設(shè)計(jì)與工藝”全鏈條國際領(lǐng)先的技術(shù)積累。該研究方向先后獲批科技部重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、基金委創(chuàng)新研究群體項(xiàng)目、基金委重大科研儀器項(xiàng)目、基金委重點(diǎn)項(xiàng)目、江蘇省前沿引領(lǐng)項(xiàng)目技術(shù)基礎(chǔ)研究重大項(xiàng)目等省部級(jí)重大項(xiàng)目支持。目前在該研究方向?qū)W院已與產(chǎn)業(yè)界龍頭企業(yè)開展了全面深入合作，并將與產(chǎn)業(yè)界共同探索二維半導(dǎo)體在未來集成電路中的應(yīng)用道路。

　　高能效計(jì)算加速芯片設(shè)計(jì)與應(yīng)用

　　依托國家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺(tái)，學(xué)院建設(shè)了國內(nèi)一流的IC設(shè)計(jì)軟硬件環(huán)境，該方向在滿足國家和產(chǎn)業(yè)界重大需求的芯片研制領(lǐng)域成果豐碩。學(xué)院研發(fā)團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)了高性能數(shù)字信號(hào)處理芯片，已完成工程示范性應(yīng)用，關(guān)鍵性能國際領(lǐng)先；在深度學(xué)習(xí)系統(tǒng)的硬件加速器方面也取得了突破，領(lǐng)先國際同類設(shè)計(jì)；此外，設(shè)計(jì)的航天級(jí)芯片經(jīng)過嚴(yán)苛測試，也已進(jìn)入應(yīng)用階段。

　　寬禁帶半導(dǎo)體材料與集成光電子器件

　　學(xué)院研發(fā)團(tuán)隊(duì)在材料外延和器件微納加工方面具有豐富的研究成果和技術(shù)積累，相關(guān)成果在Nature Nanotechnology、Advanced Materials等高水平期刊上發(fā)表，多項(xiàng)成果獲國家級(jí)和省部級(jí)科技獎(jiǎng)勵(lì)。該方向長期致力于研究寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)，近年來獲得多項(xiàng)科技部重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃支持，并與產(chǎn)業(yè)界龍頭企業(yè)深入開展合作，部分技術(shù)成果已實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)化。

　　自旋電子器件與技術(shù)

　　相關(guān)團(tuán)隊(duì)在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)下取得全方位產(chǎn)業(yè)級(jí)關(guān)鍵技術(shù)突破，首創(chuàng)多項(xiàng)界面精準(zhǔn)制程工藝級(jí)控制技術(shù)，形成特色工藝集成技術(shù)，助力國內(nèi)首款、國際先進(jìn)256Mb自旋存儲(chǔ)芯片的研制。圍繞未來信息產(chǎn)業(yè)對(duì)超高速、低功耗自旋芯片的需求，建成了國內(nèi)首套飛秒級(jí)時(shí)間分辨并自旋分辨極深紫外光電子能譜系統(tǒng)，獲得了基金委重大儀器研發(fā)項(xiàng)目優(yōu)秀結(jié)題，支撐了自旋量子態(tài)的探測與精準(zhǔn)調(diào)控。2021年李克強(qiáng)總理參觀了本系統(tǒng)并給予高度評(píng)價(jià)。相關(guān)成果在Nature子刊與Physical Review Letters發(fā)表一系列高水平論文。

　　近年來，學(xué)院相關(guān)成果共發(fā)表2篇Nature正刊，21 篇Nature/Science子刊，獲得國家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)2項(xiàng)，江蘇省科技突出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)1項(xiàng)，入選中國光學(xué)十大進(jìn)展。